您的当前位置：首页 > 矢野浩二 > 宏微科技：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证，部分产品已形成小批量出货 正文
时间：2025-05-05 11:37:00 来源：网络整理 编辑：矢野浩二
10月31日消息，宏微科技披露投资者关系活动记录表显示，公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展，包括1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证；自主研发的
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